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微纳加工实验室实验操作规程
2016-03-31 15:09 发布:张春元    (点击:)

一、基片前处理。为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净。

二、涂光刻胶。涂胶的目标是在硅片、玻璃片等表面建立厚度为微米级或纳米级均匀且没有缺陷的光刻胶层。

三、前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。

四、曝光。保证器件正常工作的决定性因素是光刻胶上精确图形的形成。对于激光束干涉光刻需要事先搭建并调整好光路。

五、显影。显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。

六、后烘(坚膜)。经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀,胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行,使光刻胶和晶圆表面更好地粘结,必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。

七、刻蚀。刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉基片表层的工艺,主要目标是将得到的光刻胶图案进一步精确地转移到基片上。

八、去除光刻胶。刻蚀之后,图案成为基片上永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要,需要从表面去掉。

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